Dialog半導體(tǐ)已将其導電(diàn)♣‌橋接電(diàn)阻RAM非易失性存儲器(qì)(NVM)技(jì)術( §δshù)授權給Globalfoundrie✔​s，但(dàn)生(shēng)産計(jì)劃要(yào)¶"‍等到(dào)2022年(nián)。

Globalfoundries公司計(jì)劃在2022↑π年(nián)将CBRAM作(zuò)為( ♦wèi)其22FDX絕緣體(tǐ)上(shàng)矽22nm制(zh ♣ì)造工(gōng)藝的(de)嵌入式NVM選項，并計(jì)劃将該方案擴Ω‍Ω₩展到(dào)其他(tā)制(zhì)程。

Facebook人(rén)工(gōng)智能(néng)科®​$•(kē)學家(jiā)Yann LeCun表示， ¥ ≈;ReRAM技(jì)術(shù)是(sh₽< ∑ì)嵌入式人(rén)工(gōng)智能(nén‍←∑≈g)的(de)一(yī)項關鍵技(jì)術©§♣(shù)。CBRAM可(kě)在惡劣的(de)環境下(→δxià)工(gōng)作(zuò)，可(kě)用(yòng)在"↕'£物(wù)聯網、5G連接、人(rén)工(gōng)智能(≥δ↓∞néng)、消費(fèi)者、醫(yī)療以及某些(xiē)工™×(gōng)業(yè)和(hé)汽車(chē)應用(yòng)上(shànα↑≤g)。

內(nèi)存隻需要(yào)在邏輯過程中添加一(yī)個(gè)掩碼層，但>α(dàn)目前還(hái)不(bù)清楚為(wè≤'i)什(shén)麽這(zhè)個(gè)技(γ≠★jì)術(shù)需要(yào)如(rú)此長(chá™ ng)的(de)時(shí)間(jiān)才能(néng)投入生(sγΩhēng)産。Dialog聲稱，由于它是(shì)一(yī)種“後端”技(j≠×♥αì)術(shù)，因此能(néng)夠相(÷♦ ±xiàng)對(duì)容易地(dì)集成到(±<dào)技(jì)術(shù)節點中。

CBRAM由Adesto技(jì)術(shù)公司開(kāi)發，其原理(↕≠lǐ)是(shì)基于銅離(lí)子(zǐ)通(tōng)過非晶二氧化(huà↑ ©∞)矽的(de)運動，以形成交叉點的(de)絲狀橋接開(kāi✘≤±)關。此技(jì)術(shù)于2020年(nián)9月(yuè)通(t‌∑ōng)過對(duì)Adesto的(de)收購(€×gòu)轉給了(le)Dialog。

Adesto成立于2006年(nián)，他(tā)們計(jì"γ )劃開(kāi)發一(yī)種基于Axon Technologies Co≤×rp.許可(kě)的(de)非易失性存儲器(•±♦↓qì)。Axon Technologies是(shì)亞利桑那(nà)州←≤ ♣立大(dà)學(Arizona State&‍©§ University)的(de)附屬公司。該公司是(sh"≤∏ì)衆多(duō)競争對(duì)手中将ReRAM推向£¥∑÷市(shì)場(chǎng)的(de)公司之一(yī)，盡管基于該技(j×♦±£ì)術(shù)的(de)産品銷售有(yǒu)些(xiē)困難，也(∏‌★±yě)使用(yòng)了(le)其他(tā)更傳統的(de♠™γ≈)NVM技(jì)術(shù)。Dialog半導體(tǐ)負責企業(y׶è)發展副總裁Mark Tyndall表示:“該協議(yì)不(bù®₩→)僅為(wèi)行(xíng)業(yè)帶來↑→$ (lái)了(le)優良的(de)技(jì)術(sφε♣↔hù)，還(hái)為(wèi)Dialog下(xià∑≈)一(yī)代系統芯片采用(yòng)前沿的(de)CBRAM技(jì)♥∏λ術(shù)創造了(le)機(jī)會(huì)。”

通(tōng)過IP定制(zhì)，客戶可∑≤<↕(kě)以通(tōng)過修改CBRAM單元來(lái)優化(huà)SoC✔>γ∞設計(jì)，甚至為(wèi)新的(de)應用(yòng)程序調整單元。

來(lái)源：中電(diàn)網